microLED
测试与检测系统

OmniPix-ML1000

完整晶圆测试

OmniPix-ML1000是首个功能全面的 microLED测试系统，可提供完整晶圆以及局部单个像素检测

晶圆上的 EQE

测量局部EQE和总EQE。在线分析单个像素的 EQE，以及像素周围区域发射光和像素背面发射光的 EQE。

自动化 PL 和 EL

利用自动化 PL 和 EL 测试和表征您的 microLED。

单个像素的高分辨率检测

利用纳米-PL 和纳米-EL 分析缺陷像素。即使在最小的像素上也可获得角度测量值和 EQE。光谱的、冷光的、3D结构的成像，以及热成像和侧壁成像，均可在最小至纳米级的 microLED 上实现。

• 大规模晶圆测试
• 单个像素检测
• 在线关联 PL 和 EL
• EQE
• 角度测量

InZiv 很自豪地为您呈现 OmniPix-ML1000产品。它是首套全方位的 microLED 表征系统，用于提供整片晶圆以及局部单个像素检测。该系统利用AOI、PL和EL为当今的microLED测试需求提供最关键的测量数据，包括EQE和角度测量。通过最高分辨率测量，OmniPix-ML1000 提供了最具先进技术水平的解决方案，以用于microLED 的检测和表征。

OmniPix-ML1000 将多种检测模式集成于一个系统中，并提供了整片晶圆及其子像素特征的全面分析。这种独特的组合使 microLED 开发人员能够更好地了解光、颜色、电压和结构之间的关系，从而直接解决了当今 microLED 领域最关键且具挑战性的难题。

通过 InZiv 的两步检测方法缩小您搜索缺陷像素的范围:

1. 整片晶圆测试

2. 单个像素检测

PL 和 AOI

EL

纳米-PL & 纳米-EL

利用 PL和 AOI 检测整个 microLED 晶圆以确认具有潜在缺陷的关注区域

使用 EL 检测整个 microLED 晶圆以确认 PL 并确定具有潜在缺陷的关注区域

用100nm分辨率在单个 microLED 像素和子像素上，近距离查看其特征，以在大规模成像后进行更深入的分析。

• 死像素或暗像素
• 凹痕和划痕
• 颜色不一致
• 沉积污染

• VF1, VF2, VF3
• VR, IR
• Cx, Cy
• WD

• 纳米PL (100 nm)
• 纳米EL (100 nm)
• 子像素特征低至nm
• 颜色不一致
• EQE
• 角度测量
• 光谱和荧光寿命

倒装片模型有直立和倒置显微镜可选

自动化的光学和光谱数据-全部在同一个平台中关联

今天就和 InZiv 代表进行交谈吧

• 大规模晶圆测试
• 单个像素检测
• 在线关联 PL 和 EL
• EQE
• 角度测量